MOSFET canal Double N Infineon 82 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-61 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 349-017
- Référence fabricant:
- IAUCN04S7N040DATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
13,80 €
HT
16,60 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 13 avril 2027
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,38 € | 13,80 € |
| 100 - 240 | 1,309 € | 13,09 € |
| 250 - 490 | 1,214 € | 12,14 € |
| 500 - 990 | 1,117 € | 11,17 € |
| 1000 + | 1,075 € | 10,75 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-017
- Référence fabricant:
- IAUCN04S7N040DATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Double N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 82A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PG-TDSON-8-61 | |
| Série | OptiMOS-TM7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.11mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 51W | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Double N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 82A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PG-TDSON-8-61 | ||
Série OptiMOS-TM7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.11mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 51W | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET série IAU d'Infineon, courant de drain continu maximal de 82 A, tension de source de drain maximale de 40 V - IAUCN04S7N040DATMA1
Caractéristiques et avantages
Applications
Quels sont les principaux avantages de l'utilisation de cet assemblage avec une passerelle IP?
Comment cet assemblage garantit-il la conformité aux normes internationales?
Quelles informations spécifiques sur l'emballage doivent-elles être notées pour l'expédition?
Cet assemblage de câbles peut-il être intégré dans les infrastructures de réseau existantes?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Double N Infineon 64 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-61 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal Double N Infineon 62 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-61 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement PG-TDSON-8-34 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 139 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-33 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 370 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-43 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 518 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-53 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 179 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-34 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 144 A 40 V Enrichissement PG-TDSON-8-33 OptiMOS-TM7 AEC-Q101
