MOSFET canal Type N Infineon 620 A 750 V Enrichissement, HybridPACK Drive G2 HybridPACK Drive G2 Non
- Code commande RS:
- 349-030
- Référence fabricant:
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
1 940,83 €
HT
2 329,00 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 1 940,83 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-030
- Référence fabricant:
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 620A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Série | HybridPACK Drive G2 | |
| Type de Boitier | HybridPACK Drive G2 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.21mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 6.73V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Normes/homologations | Lead-Free, RoHS, UL 94 V0 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 620A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Série HybridPACK Drive G2 | ||
Type de Boitier HybridPACK Drive G2 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.21mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 6.73V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Normes/homologations Lead-Free, RoHS, UL 94 V0 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 d'Infineon est un module de puissance à pont B6 très compact avec un boîtier amélioré optimisé pour diverses classes de puissance d'onduleur. Le module de puissance met en œuvre le CoolSiC Automotive MOSFET 750 V de deuxième génération, optimisé pour les applications de transmission électrique, des classes de puissance automobile de gamme moyenne à élevée aux véhicules commerciaux, de construction et agricoles de haute gamme.
Conception compacte
Haute densité de puissance
Plaque de base PinFin pour un refroidissement direct
Si3N4 haute performance céramique
Directives relatives à l'assemblage du circuit imprimé et du refroidisseur
Diode de détection de température intégrée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal Type N Infineon 390 A 1200 V Enrichissement, HybridPACK Drive G2 HybridPACK Drive G2 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal Canal N Infineon 620 A 750 V Enrichissement PG-TSON-12 HybridPACK Non
- Module IGBT canal Canal N Infineon 300 A 1200 V, HybridPACK HybridPACK Non
- IGBT AQG 324 InfineonCanal-Type N Demi-pont 1200 V, HybridPACK Drive G2 6 Borne à vis
- Module IGBT Non Infineon HybridPACK 6
- MOSFET canal Type N Infineon 163 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 IMZA75 Non
- MOSFET 2 canal Type N Isolé onsemi 750 mA 30 V Enrichissement US PowerTrench
- MOSFET de puissance 2 canal Type P 6 broches, SOT-563 AEC-Q101
