MOSFET canal Type N Infineon 620 A 750 V Enrichissement, HybridPACK Drive G2 HybridPACK Drive G2 Non

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Code commande RS:
349-030
Référence fabricant:
FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

620A

Tension Drain Source maximum Vds

750V

Type de Boitier

HybridPACK Drive G2

Série

HybridPACK Drive G2

Type de montage

Borne à vis

Résistance Drain Source maximum Rds

2.21mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension directe Vf

6.73V

Température d'utilisation maximum

200°C

Normes/homologations

Lead-Free, RoHS, UL 94 V0

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le module HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 d'Infineon est un module de puissance à pont B6 très compact avec un boîtier amélioré optimisé pour diverses classes de puissance d'onduleur. Le module de puissance met en œuvre le CoolSiC Automotive MOSFET 750 V de deuxième génération, optimisé pour les applications de transmission électrique, des classes de puissance automobile de gamme moyenne à élevée aux véhicules commerciaux, de construction et agricoles de haute gamme.

Conception compacte

Haute densité de puissance

Plaque de base PinFin pour un refroidissement direct

Si3N4 haute performance céramique

Directives relatives à l'assemblage du circuit imprimé et du refroidisseur

Diode de détection de température intégrée

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