Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 620 A 750 V Enrichissement, 30 broches, PG-TSON-12 HybridPACK Non
- Code commande RS:
- 762-980
- Référence fabricant:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
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- Code commande RS:
- 762-980
- Référence fabricant:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 620A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Série | HybridPACK | |
| Type de Boitier | PG-TSON-12 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Nombre de broches | 30 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -23V | |
| Tension directe Vf | 6.73V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.5μC | |
| Configuration du transistor | Demi-pont | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 620A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Série HybridPACK | ||
Type de Boitier PG-TSON-12 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Nombre de broches 30 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -23V | ||
Tension directe Vf 6.73V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.5μC | ||
Configuration du transistor Demi-pont | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module HybridPACK Drive G2 d'Infineon utilise des transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC), offrant une tension maximale de 750 V et un courant nominal de 620 A. Sa conception se caractérise par une faible résistance à l'état passant, des pertes de commutation minimales et une capacité d'isolement robuste de 4,25 kV. Conçu pour de hautes performances, il maintient des températures de fonctionnement jusqu'à 200 °C.
Conception compacte
Haute densité de puissance
Plaque de base PinFin à refroidissement direct
Diode de détection de température intégrée
Technologie de contact PressFIT
Conforme à la directive RoHS, sans plomb
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