MOSFET canal N Infineon 107 A 650 V Enrichissement, 16 broches, PG-HDSOP-16 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-048
- Référence fabricant:
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-048
- Référence fabricant:
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 107A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | PG-HDSOP-16 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 454W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 57nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 107A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier PG-HDSOP-16 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 16 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 454W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 57nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie en tranchée robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une excellente facilité d'utilisation. Conçu pour répondre aux exigences des systèmes d'alimentation modernes, ce MOSFET permet des conceptions économiques, hautement efficaces et simplifiées. C'est la solution idéale pour répondre aux besoins sans cesse croissants des systèmes et des marchés de l'énergie, offrant à la fois de hautes performances et un meilleur rendement énergétique pour une large gamme d'applications.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
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