MOSFET canal N Infineon 57 A 650 V Enrichissement, 16 broches, PG-HDSOP-16 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-050
- Référence fabricant:
- IMLT65R040M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-050
- Référence fabricant:
- IMLT65R040M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 57A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-HDSOP-16 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 268W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 57A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-HDSOP-16 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 16 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 268W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie en tranchée robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une excellente facilité d'utilisation. Conçu pour répondre aux exigences des systèmes d'alimentation modernes, ce MOSFET permet des conceptions économiques, hautement efficaces et simplifiées. C'est la solution idéale pour répondre aux besoins sans cesse croissants des systèmes et des marchés de l'énergie, offrant à la fois de hautes performances et un meilleur rendement énergétique pour une large gamme d'applications.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
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