Transistor de puissance canal N Infineon 172 A 135 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 ISC

Le transistor de puissance OptiMOS 6 d'Infineon est un MOSFET à canal N, de niveau normal, conçu pour les applications de puissance haute performance. Il se caractérise par une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)), ce qui minimise les pertes par conduction et améliore le rendement global. Ce transistor offre également un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM), garantissant des performances de commutation optimales. Avec une charge de récupération inverse très faible (Qrr), il réduit les pertes de commutation, ce qui le rend adapté aux applications à commutation rapide. En outre, l'appareil 100 % testé contre les avalanches, ce qui garantit sa fiabilité et sa robustesse dans des conditions de contrainte.

Température d'utilisation de 175 °C