MOSFET canal N Infineon 91 A 650 V Enrichissement, 7 broches, PG-TO263-7 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-325
- Référence fabricant:
- IMBG65R020M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-325
- Référence fabricant:
- IMBG65R020M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 91A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TO263-7 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 326W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 57nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 91A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TO263-7 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 326W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 57nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une facilité d'utilisation exceptionnelle. Ce MOSFET permet des conceptions rentables, hautement efficaces et simplifiées, répondant aux besoins toujours croissants des systèmes d'alimentation et des marchés modernes. Il est idéal pour les applications nécessitant un rendement élevé et des performances robustes, et constitue une solution fiable pour une large gamme d'électronique de puissance.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
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