MOSFET canal N Infineon 49 A 650 V Enrichissement, 7 broches, PG-TO263-7 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-326
- Référence fabricant:
- IMBG65R040M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
9,74 €
HT
11,69 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,74 € |
| 10 - 99 | 8,77 € |
| 100 - 499 | 8,08 € |
| 500 - 999 | 7,50 € |
| 1000 + | 6,73 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-326
- Référence fabricant:
- IMBG65R040M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 49A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TO263-7 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 49mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 197W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 49A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TO263-7 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 49mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 197W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une facilité d'utilisation exceptionnelle. Ce MOSFET permet des conceptions rentables, hautement efficaces et simplifiées, répondant aux besoins toujours croissants des systèmes d'alimentation et des marchés modernes. Il est idéal pour les applications nécessitant un rendement élevé et des performances robustes, et constitue une solution fiable pour une large gamme d'électronique de puissance.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 91 A 650 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 41 A 650 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 238 A 650 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 115 A 650 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC
- MOSFET de puissance canal N Infineon 28 A 650 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC
- MOSFET canal N Infineon 34 A 750 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 24 A 750 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 17 A 750 V Enrichissement PG-TO263-7 CoolSiC AEC-Q101