MOSFET N Infineon 41 A 650 V Enrichissement, 7 broches, PG-TO263-7 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-328
- Référence fabricant:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 9 | 7,03 € |
| 10 - 99 | 6,34 € |
| 100 - 499 | 5,83 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-328
- Référence fabricant:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 41A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | PG-TO263-7 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 62mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 172W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 41A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier PG-TO263-7 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 62mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 172W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC G2 650 V d'Infineon est conçu sur la base de la technologie robuste en carbure de silicium de 2e génération d'Infineon, offrant des performances inégalées, une fiabilité supérieure et une facilité d'utilisation exceptionnelle. Ce MOSFET permet des conceptions rentables, hautement efficaces et simplifiées, répondant aux besoins toujours croissants des systèmes d'alimentation et des marchés modernes. Il est idéal pour les applications nécessitant un rendement élevé et des performances robustes, et constitue une solution fiable pour une large gamme d'électronique de puissance.
Pertes de commutation très faibles
Robuste contre les activations parasites, même avec une tension de grille à l'arrêt de 0 V
Tension d'attaque flexible et compatible avec le système d'attaque bipolaire
Fonctionnement robuste des diodes de corps en cas de commutation dure
La technologie d'interconnexion .XT pour les meilleures performances thermiques de sa catégorie
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