MOSFET canal N Infineon 202 A 1200 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-STD-NT6.7 CoolSiC AEC-Q100, AEC-Q101
- Code commande RS:
- 349-372
- Référence fabricant:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-372
- Référence fabricant:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 202A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 750W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 178nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 202A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 750W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 178nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET Infineon série CoolSiC, tension de source de drain de 1 200 V, courant de drain continu de 202 A - AIMZH120R010M1TXKSA1
Ce MOSFET d'amélioration à canal N est un transistor de puissance en carbure de silicium conçu pour la commutation haute tension dans les systèmes électroniques exigeants. Il est destiné aux applications nécessitant des performances thermiques robustes et une capacité de tension élevée tout en prenant en charge le montage traversant conventionnel dans un boîtier PG-TO-247-4.
Caractéristiques et avantages :
• Valeur nominale de drain de 1 200 V permettant le fonctionnement de circuits haute tension
• Courant de drain continu de 202 A prenant en charge les charges de courant lourdes
• Faible Rds(on) de 11,3 mΩ réduisant les pertes de conduction
• Dissipation de puissance de 750 W permettant une utilisation soutenue à haute puissance
• Charge de grille 178 nC facilitant une dynamique de commutation contrôlée
• Plage de fonctionnement de -55 à 175 °C pour une résistance aux températures extrêmes
• Courant de drain continu de 202 A prenant en charge les charges de courant lourdes
• Faible Rds(on) de 11,3 mΩ réduisant les pertes de conduction
• Dissipation de puissance de 750 W permettant une utilisation soutenue à haute puissance
• Charge de grille 178 nC facilitant une dynamique de commutation contrôlée
• Plage de fonctionnement de -55 à 175 °C pour une résistance aux températures extrêmes
Applications
• Convient aux convertisseurs de puissance haute tension dans les systèmes industriels
• Idéal pour les étages d'inverseurs de traction nécessitant un courant élevé
• Utilisé avec l'électronique de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101
• Peut être utilisé pour les modules d'onduleurs d'énergie renouvelable
• Convient aux alimentations dans les environnements thermiques difficiles
• Idéal pour les étages d'inverseurs de traction nécessitant un courant élevé
• Utilisé avec l'électronique de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101
• Peut être utilisé pour les modules d'onduleurs d'énergie renouvelable
• Convient aux alimentations dans les environnements thermiques difficiles
Comment le dispositif répond-il aux exigences de qualification automobile?
Il répond aux normes reconnues de test de résistance automobile pour répondre aux besoins de fiabilité dans l'électronique des véhicules.
Quelle méthode de montage les concepteurs doivent-ils envisager?
Le composant utilise un boîtier PG-TO-247-4 à trou traversant pour une fixation sécurisée de la carte et une compatibilité avec les dissipateurs thermiques.
Comment la conception de l'entraînement de grille est-elle affectée par le comportement de commutation?
Les concepteurs doivent prendre en compte une charge de grille typique de 178 nC lors de la dimensionnement des pilotes de grille pour atteindre les vitesses de commutation souhaitées et minimiser les pertes.
Quelle polarité et quel mode de conduction utilise-t-il?
Il fonctionne comme un dispositif à canal N en mode d'enrichissement, conduisant lorsqu'une tension de source de porte positive est appliquée.
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