MOSFET canal N Infineon 55 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-STD-NT6.7 CoolSiC AEC-Q101, AEC-Q100
- Code commande RS:
- 349-376
- Référence fabricant:
- AIMZH120R040M1TXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-376
- Référence fabricant:
- AIMZH120R040M1TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 268W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 268W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 43nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET SiC d'Infineon présente les meilleures performances de commutation de sa catégorie, une robustesse contre les allumages parasites, ainsi qu'un RDSon et un Rth(j-c) améliorés. La densité de puissance élevée, le rendement supérieur, les capacités de charge bidirectionnelle et les réductions significatives des coûts du système en font un choix idéal pour les chargeurs embarqués et les applications de courant continu à courant continu.
Très faibles pertes de commutation
Meilleure énergie de commutation de sa catégorie
Capacités les plus faibles du dispositif
Broche de détection pour des performances de commutation optimisées
Convient aux exigences de lignes de fuite HT
Fils conducteurs plus fins pour réduire le risque de ponts de soudure
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