Module d'alimentation en carbure de silicium Semikron Danfoss 185 A 1.2 kV, SEMITOP E2 SEMITOP
- Code commande RS:
- 351-858
- Référence fabricant:
- SK150MB120CR03TE2
- Marque:
- Semikron Danfoss
Sous-total (1 unité)*
158,57 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-858
- Référence fabricant:
- SK150MB120CR03TE2
- Marque:
- Semikron Danfoss
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 185A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | SEMITOP E2 | |
| Série | SEMITOP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 15V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 472nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 12mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Largeur | 57mm | |
| Longueur | 63mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Courant continu de Drain maximum Id 185A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier SEMITOP E2 | ||
Série SEMITOP | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 15V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 472nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 12mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Largeur 57mm | ||
Longueur 63mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- IT
Le demi-pont SiC MOSFET WS de Semikron présente un courant nominal de 185 A et est simple à piloter avec une tension de grille de +15V. Il offre une stabilité de commutation optimisée grâce à des résistances de grille intégrées au module et comprend un capteur de température NTC intégré pour une surveillance thermique efficace. Reconnu par UL sous le numéro de dossier. E63532.
Conception optimisée pour des performances thermiques supérieures
Conception à très faible inductance
Technologie de contact Press Fit
1200V Planar Gen3 SiC MOSFET
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