Module d'alimentation en carbure de silicium Semikron Danfoss 223 A 1.2 kV, SEMITOP E2 SEMITOP
- Code commande RS:
- 351-859
- Référence fabricant:
- SK200MB120CR03TE2
- Marque:
- Semikron Danfoss
Sous-total (1 unité)*
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 188,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-859
- Référence fabricant:
- SK200MB120CR03TE2
- Marque:
- Semikron Danfoss
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 223A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | SEMITOP E2 | |
| Série | SEMITOP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 590nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 15V | |
| Tension directe Vf | 4.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 12mm | |
| Largeur | 57mm | |
| Normes/homologations | IEC 61340/UL | |
| Longueur | 63mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Courant continu de Drain maximum Id 223A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier SEMITOP E2 | ||
Série SEMITOP | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 590nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 15V | ||
Tension directe Vf 4.6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 12mm | ||
Largeur 57mm | ||
Normes/homologations IEC 61340/UL | ||
Longueur 63mm | ||
- Pays d'origine :
- IT
Le demi-pont SiC MOSFET WS de Semikron présente un courant nominal de 223 A et est simple à piloter avec une tension de grille de +15V. Il offre une stabilité de commutation optimisée grâce à des résistances de grille intégrées au module et comprend un capteur de température NTC intégré pour une surveillance thermique efficace. Reconnu par UL sous le numéro de dossier. E63532.
Conception optimisée pour des performances thermiques supérieures
Conception à très faible inductance
Technologie de contact Press Fit
1200V Planar Gen3 SiC MOSFET
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