Module d'alimentation en carbure de silicium Semikron Danfoss 267 A 1200 V, SEMITOP E2 SEMITOP
- Code commande RS:
- 351-860
- Référence fabricant:
- SK250MB120CR03TE2
- Marque:
- Semikron Danfoss
Sous-total (1 unité)*
227,95 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-860
- Référence fabricant:
- SK250MB120CR03TE2
- Marque:
- Semikron Danfoss
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Type de produit | Module d'alimentation en carbure de silicium | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 267A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | SEMITOP | |
| Type de Boitier | SEMITOP E2 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.2mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 708nC | |
| Tension directe Vf | 4.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 12mm | |
| Longueur | 63mm | |
| Normes/homologations | IEC 60747-1, UL | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Type de produit Module d'alimentation en carbure de silicium | ||
Courant continu de Drain maximum Id 267A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série SEMITOP | ||
Type de Boitier SEMITOP E2 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.2mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 708nC | ||
Tension directe Vf 4.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 12mm | ||
Longueur 63mm | ||
Normes/homologations IEC 60747-1, UL | ||
Standard automobile Non | ||
Le demi-pont SiC MOSFET WS de Semikron présente un courant nominal de 267 A et est simple à piloter avec une tension de grille de +15V. Il offre une stabilité de commutation optimisée grâce à des résistances de grille intégrées au module et comprend un capteur de température NTC intégré pour une surveillance thermique efficace. Reconnu par UL sous le numéro de dossier. E63532.
Conception optimisée pour des performances thermiques supérieures
Conception à très faible inductance
Technologie de contact Press Fit
1200V Planar Gen3 SiC MOSFET
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