MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 672 A 40 V Enrichissement, 4 broches, PowerLeaded STK615 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 358-981
- Référence fabricant:
- STK615N4F8AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,47 €
HT
4,16 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,47 € |
| 10 - 99 | 3,13 € |
| 100 - 499 | 2,88 € |
| 500 - 999 | 2,68 € |
| 1000 + | 2,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 358-981
- Référence fabricant:
- STK615N4F8AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 672A | |
| Puissance de sortie | 390W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerLeaded | |
| Série | STK615 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 8.15mm | |
| Hauteur | 1.85mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Longueur | 8.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Courant continu de Drain maximum Id 672A | ||
Puissance de sortie 390W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerLeaded | ||
Série STK615 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 8.15mm | ||
Hauteur 1.85mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Longueur 8.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N à mode d'amélioration de STMicroelectronics est conçu en technologie STripFET F8 avec une structure de grille à tranchée améliorée. Il garantit un facteur de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état passant tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour permettre une commutation plus rapide et plus efficace.
Homologué AEC Q101
Grade MSL1
Température de jonction maximale de fonctionnement de 175 degrés C
100 % testé contre les avalanches
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 125 A 100 V Mode d'amélioration PowerLeaded AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 302 A 100 V Mode d'amélioration PowerLeaded AEC-Q101
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 54 A 600 V Enrichissement HU3PAK STHU60 AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 95 A 80 V Enrichissement PowerFLAT AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 40 V Enrichissement, 4 broches STK AEC-Q101
- MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 51 A 650 V Enrichissement H2PAK-7 STH65N AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 125 A 100 V Enrichissement PowerFLAT STL125N10F8AG AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 650 V Enrichissement, 4 broches SCT AEC-Q101
