MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 160 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL160 Non
- Code commande RS:
- 358-984
- Référence fabricant:
- STL160N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
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| 100 - 499 | 0,97 € |
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- Code commande RS:
- 358-984
- Référence fabricant:
- STL160N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Puissance de sortie | 125W | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | STL160 | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Longueur | 4.8mm | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Puissance de sortie 125W | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série STL160 | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Largeur 6.1mm | ||
Longueur 4.8mm | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics, basé sur la technologie STripFET F7, offre une résistance à l'état passant (RDS(on)) exceptionnellement faible pour un rendement accru. Sa conception permet de réduire la capacité et la charge de grille, ce qui permet une commutation plus rapide et plus efficace avec une excellente immunité aux interférences électromagnétiques.
Excellent FdM
Faible rapport Crss/Ciss pour l'immunité aux interférences électromagnétiques
Haute résistance aux avalanches
Niveau de logique VGS
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