MOSFET Canal N canal Type N STMicroelectronics 160 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL160 Non
- Code commande RS:
- 358-982
- Référence fabricant:
- STL160N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
3 072,00 €
HT
3 687,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,024 € | 3 072,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 358-982
- Référence fabricant:
- STL160N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Puissance de sortie | 125W | |
| Série | STL160 | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Longueur | 4.8mm | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Puissance de sortie 125W | ||
Série STL160 | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Longueur 4.8mm | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics, basé sur la technologie STripFET F7, offre une résistance à l'état passant (RDS(on)) exceptionnellement faible pour un rendement accru. Sa conception permet de réduire la capacité et la charge de grille, ce qui permet une commutation plus rapide et plus efficace avec une excellente immunité aux interférences électromagnétiques.
Excellent FdM
Faible rapport Crss/Ciss pour l'immunité aux interférences électromagnétiques
Haute résistance aux avalanches
Niveau de logique VGS
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