MOSFET Canal N canal N STMicroelectronics 160 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL160 Non
- Code commande RS:
- 358-982
- Référence fabricant:
- STL160N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 244,00 €
HT
2 694,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,748 € | 2 244,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 358-982
- Référence fabricant:
- STL160N6LF7
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Fréquence de fonctionnement | 1MHz | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Puissance de sortie | 125W | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL160 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Canal N | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Longueur | 4.8mm | |
| Largeur | 6.1mm | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Fréquence de fonctionnement 1MHz | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Puissance de sortie 125W | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL160 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Canal N | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Longueur 4.8mm | ||
Largeur 6.1mm | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics, basé sur la technologie STripFET F7, offre une résistance à l'état passant (RDS(on)) exceptionnellement faible pour un rendement accru. Sa conception permet de réduire la capacité et la charge de grille, ce qui permet une commutation plus rapide et plus efficace avec une excellente immunité aux interférences électromagnétiques.
Excellent FdM
Faible rapport Crss/Ciss pour l'immunité aux interférences électromagnétiques
Haute résistance aux avalanches
Niveau de logique VGS
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