MOSFET RF canal N Microchip, 8 broches, SOIC-8 MIC4420 Non
- Code commande RS:
- 598-402
- Référence fabricant:
- MIC4420ZN
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 boîte de 350 unités)*
659,40 €
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Unité | Prix par unité | La Boite* |
|---|---|---|
| 350 + | 1,884 € | 659,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-402
- Référence fabricant:
- MIC4420ZN
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Fréquence de fonctionnement | 1.6MHz | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET RF | |
| Puissance de sortie | 12.5W | |
| Type de Boitier | SOIC-8 | |
| Série | MIC4420 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Longueur | 0.375pouce | |
| Hauteur | 0.150pouce | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 0.25pouce | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Fréquence de fonctionnement 1.6MHz | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET RF | ||
Puissance de sortie 12.5W | ||
Type de Boitier SOIC-8 | ||
Série MIC4420 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Longueur 0.375pouce | ||
Hauteur 0.150pouce | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 0.25pouce | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TH
Le driver MOSFET Microchip est robuste, efficace et facile à utiliser. Les modèles de driver inverseur et de driver non inverseur sont capables d'une sortie de 6 A (crête), ce qui le rend adapté pour l'entraînement de grands MOSFET avec une marge de fonctionnement sûre améliorée. Ce driver accepte n'importe quelle entrée logique de 2,4 V à VS sans avoir besoin d'un condensateur d'accélération externe ou d'un réseau de résistances. Le circuit propriétaire permet à l'entrée de basculer négativement jusqu'à 5 V sans endommager, et un circuit de protection supplémentaire protège contre les dommages causés par les décharges électrostatiques.
La large plage de tensions d'alimentation permet une flexibilité de conception
Actionne efficacement les transistors MOSFET haut et bas côté
La taille compacte facilite les dispositions de circuit à faible encombrement
La réponse transitoire améliorée garantit une commutation rapide
La protection thermique intégrée garantit une longue durée de vie
Optimisé pour les applications haute vitesse, réduisant les pertes de commutation
L'excellent délai de propagation améliore les performances du système
La faible impédance de sortie améliore les capacités d'entraînement
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