Réseaux MOSFET 1 canal Canal P, Canal N Microchip 350 mA 500 V Enrichissement, 8 broches, SOIC à 8 fils (TG) TC1550 Non
- Code commande RS:
- 598-873
- Référence fabricant:
- TC1550TG-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 3300 unités)*
17 186,40 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3300 + | 5,208 € | 17 186,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-873
- Référence fabricant:
- TC1550TG-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | Réseaux MOSFET | |
| Type de canal | Canal P, Canal N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 350mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | SOIC à 8 fils (TG) | |
| Série | TC1550 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 125Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS Certificate of Compliance | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit Réseaux MOSFET | ||
Type de canal Canal P, Canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 350mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier SOIC à 8 fils (TG) | ||
Série TC1550 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 125Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.9mm | ||
Normes/homologations RoHS Certificate of Compliance | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à canal N et à canal P haute tension de Microchip dans un boîtier SOIC à 8 fils est un transistor en mode d'amélioration (normalement hors tension) utilisant une structure DMOS verticale avancée et le processus de fabrication éprouvé de la porte au silicium de Supertex. Cette combinaison offre les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif typiques des dispositifs MOS. Comme pour toutes les structures MOS, ce dispositif est immunisé contre la fuite thermique et les défaillances secondaires induites thermiquement, garantissant des performances fiables.
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapide
Sans défaillances secondaires
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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