Références fabricant

Réseaux MOSFET 1 canal Canal P, Canal N Deux paires de canaux N et P Microchip 2.3 A 200 V Enrichissement, 12 broches,

Code commande RS:: 598-776
Référence fabricant:: TC8220K6-G
Marque:: Microchip

Réseaux MOSFET 1 canal Canal P, Canal N Deux paires de canaux N et P Microchip 2.3 A 200 V Enrichissement, 12 broches,

Sous-total (1 bobine de 3300 unités)*

7 682,40 €

9 220,20 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3300 +	2,328 €	7 682,40 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 598-776
Référence fabricant:: TC8220K6-G
Marque:: Microchip

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Type de canal	Canal P, Canal N
	Type de produit	Réseaux MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	2.3A
	Tension Drain Source maximum Vds	200V
	Série	TC8220
	Type de Boitier	DFN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	12
	Résistance Drain Source maximum Rds	8.5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	25V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Deux paires de canaux N et P
	Longueur	4mm
	Hauteur	1mm
	Largeur	4mm
	Normes/homologations	RoHS Certificate of Compliance
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Microchip
	Type de canal Canal P, Canal N
	Type de produit Réseaux MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 2.3A
	Tension Drain Source maximum Vds 200V
	Série TC8220
	Type de Boitier DFN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 12
	Résistance Drain Source maximum Rds 8.5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 25V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Deux paires de canaux N et P
	Longueur 4mm
	Hauteur 1mm
	Largeur 4mm
	Normes/homologations RoHS Certificate of Compliance
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Standard automobile Non

Datasheet - TC8220K6-G

Pays d'origine :: CN

Les transistors MOSFET à canal N et à canal P haute tension et faible seuil de Microchip dans un boîtier DFN à 12 fils sont dotés de résistances de porte à source intégrées et de pinces à diode Zener de porte à source, idéales pour les applications à impulsion haute tension. Ces paires de MOSFET à canal N et à canal P complémentaires, haute vitesse, haute tension, à serrage de grille utilisent une structure DMOS verticale avancée ainsi que le processus de fabrication éprouvé de grille de silicium de Supertex. Cette combinaison offre les capacités de gestion de l'alimentation des transistors bipolaires, tout en fournissant l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif typiques des dispositifs MOS.

Résistance de porte à source intégrée

Diode Zener de porte à source intégrée

Faible seuil, faible résistance sous tension

Faible capacité d'entrée et de sortie

Vitesses de commutation rapide

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