Réseaux MOSFET 1 canal Type P, Type N Double Infineon 2.3 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-4334
- Référence fabricant:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
582,00 €
HT
699,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 9 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,194 € | 582,00 € |
| 6000 + | 0,185 € | 555,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4334
- Référence fabricant:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Réseaux MOSFET | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 57mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | -5nC | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 0.6W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Réseaux MOSFET | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 57mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs -5nC | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 0.6W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Largeur 1.6mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, RoHS | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Réseaux MOSFET de la série OptiMOS d'Infineon, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 2,3 A - BSL308CH6327XTSA1
Ce dispositif de réseau MOSFET fournit des transistors à canal P et à canal N appariés dans un boîtier compact à montage en surface pour la commutation et la gestion de l'alimentation dans l'électronique automobile et industrielle. Il est fourni dans un format TSOP à 6 broches conçu pour une intégration au niveau de la carte et un fonctionnement sur une large plage ambiante, prenant en charge le comportement de charge de grille typique adapté aux tâches de commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
• Les faibles Rds(on) de 57 mΩ réduisent les pertes de conduction et la génération de chaleur
• Le courant de drain continu maximal de 2,3 A permet une manipulation de charge modérée
• Vds maximum de 30 V prenant en charge les architectures de système 30 V
• La tension de source de grille maximale de 20 V protège l'intégrité de la grille en cas de transitoires
• La tension directe de 1,1 V améliore l'efficacité des chemins de conduction des diodes
• Valeur nominale de 150 °C permettant un fonctionnement fiable à des températures de jonction élevées
• Le courant de drain continu maximal de 2,3 A permet une manipulation de charge modérée
• Vds maximum de 30 V prenant en charge les architectures de système 30 V
• La tension de source de grille maximale de 20 V protège l'intégrité de la grille en cas de transitoires
• La tension directe de 1,1 V améliore l'efficacité des chemins de conduction des diodes
• Valeur nominale de 150 °C permettant un fonctionnement fiable à des températures de jonction élevées
Applications
• Convient aux modules de contrôle de la carrosserie automobile nécessitant la conformité AEC
• Idéal pour les étages de commutation de convertisseurs c.c.-c.c. haute densité
• Utilisé avec les circuits de gestion des batteries dans les véhicules et les équipements
• Peut être utilisé pour la commutation de driver de moteur côté bas ou côté haut
• Convient à la distribution d'énergie compacte sur les circuits imprimés à montage en surface
• Idéal pour les étages de commutation de convertisseurs c.c.-c.c. haute densité
• Utilisé avec les circuits de gestion des batteries dans les véhicules et les équipements
• Peut être utilisé pour la commutation de driver de moteur côté bas ou côté haut
• Convient à la distribution d'énergie compacte sur les circuits imprimés à montage en surface
Quel type de montage est nécessaire pour l'assemblage de la carte?
Il s'agit d'un dispositif à montage en surface dans un boîtier TSOP à 6 broches destiné à la soudure par refusion sur des motifs de terre de circuit imprimé standard.
Comment se comporte-t-il à des températures extrêmes?
Le dispositif est spécifié pour fonctionner de -55 °C jusqu'à un maximum de 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements thermiques difficiles.
Y a-t-il des éléments de transistor séparés par circuit?
Un élément par circuit est configuré comme une disposition de transistor double fournissant des fonctions de canal P et N.
Quelles sont les normes et la conformité aux matériaux indiquées?
Le composant est conforme à la directive RoHS et est fabriqué en utilisant des matériaux conformes à la norme CEI 61249-2-21.
Nos clients ont également consulté
- Réseaux MOSFET 1 canal Type P 6 broches, TSOP OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type P 6 broches, TSOP OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type P Isolé Infineon 2 A 30 V Enrichissement TSOP OptiMOS P AEC-Q101
- MOSFET 2 canal Type N 6 broches, TSOP-6 OptiMOS™ AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 2.3 A 20 V Enrichissement SOT-23 OptiMOS 2 AEC-Q101
- MOSFET de puissance 2 canal Type P Isolé Vishay 2.3 A 30 V Enrichissement TSOP TrenchFET Non
- MOSFET P Infineon 310 mA 20 V Enrichissement SC-70 OptiMOS P AEC-Q101
- MOSFET P Infineon 90 A 40 V Enrichissement TO-252 OptiMOS P AEC-Q101