MOSFET 2 canal Type N, Type P Isolé Infineon 1.5 A 30 V Enrichissement, 6 broches, TSOP-6 OptiMOS™ AEC-Q101
- Code commande RS:
- 166-1082
- Référence fabricant:
- BSL316CH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
432,00 €
HT
519,00 €
TTC
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- 30 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,144 € | 432,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-1082
- Référence fabricant:
- BSL316CH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N, Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | OptiMOS™ | |
| Type de Boitier | TSOP-6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 860mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Largeur | 1.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N, Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série OptiMOS™ | ||
Type de Boitier TSOP-6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 860mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Largeur 1.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOSTM, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 1,5 A - BSL316CH6327XTSA1
Caractéristiques et avantages :
• La résistance drain-source de 280 mΩ réduit les pertes de conduction
• Charge de grille typique de 2.4 nC pour une commande de grille efficace
• Courant de drain continu de 1,5 A pour des charges de courant modérées
• La dissipation de puissance de 500 mW empêche la surchauffe dans les configurations compactes
• La qualification AEC-Q101 garantit l'adéquation pour une utilisation automobile
Applications
• Utilisé pour les étapes d'entraînement push-pull complémentaires
• Idéal pour la gestion de l'alimentation CMS sur les cartes de commande
• Peut être utilisé pour la protection de la batterie et les déconnexions de charge
• Adapté aux modules automobiles sensibles à la température
Quel nombre de broches et type de boîtier utilise-t-il?
Comment fonctionne-t-il à des températures différentes?
Le dispositif est-il à un ou plusieurs éléments?
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter?
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