MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé Infineon 1.5 A 20 V Enrichissement, 6 broches, TSOP OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
166-1086
Référence fabricant:
BSL215CH6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P, Type N

Courant continu de Drain maximum Id

1.5A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

TSOP

Série

OptiMOS

Type de montage

Surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

280mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

0.8V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3nC

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

2.9mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor de puissance MOSFET double Infineon OptiMOS™


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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