MOSFET canal N Double Infineon 20 A 55 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 850,00 €

HT

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Code commande RS:
258-3876
Référence fabricant:
IPG20N06S2L35AATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TDSON

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Dissipation de puissance maximum Pd

65W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor de puissance OptiMOS d'Infineon est un double Super S08 qui peut remplacer plusieurs DPAK pour d'importantes économies d'espace sur circuit imprimé et une réduction des coûts au niveau du système. Connexion de cadre de fil de source plus grande pour le collage de fils et les mêmes performances thermiques et électriques qu'un DPAK avec la même taille de matrice.

Niveau logique à canal N double - mode d'amélioration

Certifié AEC Q101

MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion de crête

Température d'utilisation : 175 °C

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