Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 55 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
223-8520
Référence fabricant:
IPG20N06S2L65AATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

Transistor de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

20A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

OptiMOS

Type de Boitier

TDSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

43W

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5.15mm

Largeur

5.9mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET double canal N Infineon OptiMOS est doté d'une tension de drain à source de 55 V. Il offre des avantages d'une plus grande connexion de cadre de câble source pour le collage de fil et le fil d'adhésion est de 200 um pour un courant jusqu'à 20 A.

Certifié AEC-Q101 automobile

• Réfusion Peak MSL1 jusqu'à 260 °C.

• Température de fonctionnement de 175 °C.

Boîtier vert

• Rds ultrafaibles

Testé 100 % avalanche

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