Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 55 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 223-8520
- Référence fabricant:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 135 | 0,451 € | 6,77 € |
| 150 - 360 | 0,428 € | 6,42 € |
| 375 - 735 | 0,409 € | 6,14 € |
| 750 - 1485 | 0,392 € | 5,88 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 223-8520
- Référence fabricant:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 43W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 43W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 5.15mm | ||
Largeur 5.9mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET double canal N Infineon OptiMOS est doté d'une tension de drain à source de 55 V. Il offre des avantages d'une plus grande connexion de cadre de câble source pour le collage de fil et le fil d'adhésion est de 200 um pour un courant jusqu'à 20 A.
Certifié AEC-Q101 automobile
• Réfusion Peak MSL1 jusqu'à 260 °C.
• Température de fonctionnement de 175 °C.
Boîtier vert
• Rds ultrafaibles
Testé 100 % avalanche
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