Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 16 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS-T2 AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

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Code commande RS:
214-9057
Référence fabricant:
IPG16N10S461AATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Transistor de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

OptiMOS-T2

Type de Boitier

TDSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

61mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

29W

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

5.9mm

Hauteur

1mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

5.15mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme Infineon de nouveaux OptiMOS-T2 est dotée d'une gamme de transistors MOSFET à économie d'énergie avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS -T2 étend les familles existantes d'OptiMOS -T et d'OptiMOS. Le mode double canal N niveau normal - amélioration est possible pour l'inspection optique automatique (AOI). Les produits OptiMOS sont disponibles dans des boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces restreints. Ces produits Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance et les dépasser.

Le produit est certifié AEC Q101

Testé à 100 % en avalanche

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

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