Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 16 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-9057
- Référence fabricant:
- IPG16N10S461AATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (5000 unités, sur une bobine de 5000)*
2 200,00 €
HT
2 650,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 08 juillet 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,44 € | 2 200,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-9057
- Référence fabricant:
- IPG16N10S461AATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | OptiMOS-T2 | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 61mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 29W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série OptiMOS-T2 | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 61mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 29W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Longueur 5.15mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 5.9mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Nos clients ont également consulté
- Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 16 A 100 V Enrichissement TDSON OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 100 V Enrichissement TDSON OptiMOS-T2 AEC-Q101
- MOSFET 2 canal N Mode d'amélioration Infineon 20 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Transistor de puissance canal N Infineon 80 A 60 V Enrichissement TO-263 OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 55 V Enrichissement TDSON OptiMOS AEC-Q101
- Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 100 V Enrichissement TDSON OptiMOS AEC-Q101
- Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 40 V Enrichissement TDSON OptiMOS AEC-Q101
- MOSFET de puissance canal N Infineon 20 A 40 V Enrichissement TDSON-8-4 OptiMOS-T2
