MOSFET 2 canal N Mode d'amélioration Infineon 20 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-9059
- Référence fabricant:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-9059
- Référence fabricant:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS-T2 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 54W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tension directe Vf | 0.9V | |
| Configuration du transistor | Mode d'amélioration | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS-T2 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 54W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Tension directe Vf 0.9V | ||
Configuration du transistor Mode d'amélioration | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 5.15mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Largeur 5.9mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La gamme Infineon de nouveaux OptiMOS-T2 est dotée d'une gamme de transistors MOSFET à économie d'énergie avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS -T2 étend les familles existantes d'OptiMOS -T et d'OptiMOS. Le mode double niveau logique canal N - amélioration est possible pour l'inspection optique automatique (AOI). Les produits OptiMOS sont disponibles dans des boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces restreints. Ces produits Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance et les dépasser.
Le produit est certifié AEC Q101
Testé à 100 % en avalanche
Sa température d'utilisation est de 175 °C.
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