Transistor de puissance 2 canal N Double Infineon 20 A 55 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 223-8519
- Référence fabricant:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
1 535,00 €
HT
1 840,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,307 € | 1 535,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 223-8519
- Référence fabricant:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 43W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 43W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Longueur 5.15mm | ||
Largeur 5.9mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET double canal N Infineon OptiMOS est doté d'une tension de drain à source de 55 V. Il offre des avantages d'une plus grande connexion de cadre de câble source pour le collage de fil et le fil d'adhésion est de 200 um pour un courant jusqu'à 20 A.
Certifié AEC-Q101 automobile
• Réfusion Peak MSL1 jusqu'à 260 °C.
• Température de fonctionnement de 175 °C.
Boîtier vert
• Rds ultrafaibles
Testé 100 % avalanche
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