MOSFET P Infineon 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q101
- Code commande RS:
- 826-9487
- Référence fabricant:
- IPB80P04P407ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,023 € | 50,58 € |
| 50 - 100 | 1,922 € | 48,05 € |
| 125 - 225 | 1,841 € | 46,03 € |
| 250 - 475 | 1,76 € | 44,00 € |
| 500 + | 1,638 € | 40,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 826-9487
- Référence fabricant:
- IPB80P04P407ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | OptiMOS P | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 68nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 88W | |
| Tension directe Vf | -1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.4mm | |
| Longueur | 10mm | |
| Largeur | 9.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série OptiMOS P | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 88W | ||
Tension directe Vf -1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.4mm | ||
Longueur 10mm | ||
Largeur 9.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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