Références fabricant

MOSFET P Infineon 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q101

Code commande RS:: 165-5705
Référence fabricant:: IPB80P04P407ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET P Infineon 80 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS P AEC-Q101

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Sous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*

859,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1000 - 1000	0,859 €	859,00 €
2000 +	0,838 €	838,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-5705
Référence fabricant:: IPB80P04P407ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	80A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS P
	Type de Boitier	TO-263
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	7.7mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	-1V
	Dissipation de puissance maximum Pd	88W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	68nC
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10mm
	Hauteur	4.4mm
	Largeur	9.25mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 80A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS P
	Type de Boitier TO-263
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 7.7mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf -1V
	Dissipation de puissance maximum Pd 88W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10mm
	Hauteur 4.4mm
	Largeur 9.25mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

IPB80P04P4-07, IPI80P04P4-07, IPP80P04P4-07 OptiMOS-P2 Power Transistor Datasheet

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: CN

Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™

Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.

Mode d'enrichissement

Résistance aux avalanches

Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Boîtiers standard

Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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