Références fabricant

MOSFET 2 canal Type P Isolé Infineon 2.3 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET Non

Code commande RS:: 165-5596
Référence fabricant:: IRF7104TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET 2 canal Type P Isolé Infineon 2.3 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC HEXFET Non

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 228,00 €

1 472,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 25 janvier 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 - 4000	0,307 €	1 228,00 €
8000 +	0,299 €	1 196,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 165-5596
Référence fabricant:: IRF7104TRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	Type P
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	2.3A
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Type de Boitier	SOIC
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	400mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	2W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	9.3nC
	Tension directe Vf	-1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-12V, +12V
	Configuration du transistor	Isolé
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	1.5mm
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Longueur	5mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal Type P
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 2.3A
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Type de Boitier SOIC
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 400mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 2W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 9.3nC
	Tension directe Vf -1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -12V, +12V
	Configuration du transistor Isolé
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 1.5mm
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Longueur 5mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile Non

IRF7104, HEXFET Power MOSFET

Transistor MOSFET de puissance à canal P de 12 à 20 V, Infineon

La gamme de transistors MOSFET de puissance HEXFET® discrets, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal P dans des boîtiers à montage en surface et câblés et des facteurs de forme capables de faire face à pratiquement toutes les dispositions de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.