Réseaux MOSFET 1 canal Double N Double canal N Microchip 2.8 A 240 V Enrichissement, 8 broches, SOIC TD9944 Non
- Code commande RS:
- 598-332
- Référence fabricant:
- TD9944TG-G
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 bobine de 3300 unités)*
5 623,20 €
HT
6 748,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3300 + | 1,704 € | 5 623,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 598-332
- Référence fabricant:
- TD9944TG-G
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de canal | Double N | |
| Type de produit | Réseaux MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 240V | |
| Série | TD9944 | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Configuration du transistor | Double canal N | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Certificate of Compliance | |
| Largeur | 3.9mm | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de canal Double N | ||
Type de produit Réseaux MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 240V | ||
Série TD9944 | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Configuration du transistor Double canal N | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Certificate of Compliance | ||
Largeur 3.9mm | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Longueur 4.9mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET verticaux à mode d'amélioration à canal N double de Microchip utilisent le processus de fabrication éprouvé de la porte au silicium de Supertex. Cette combinaison offre des capacités de manipulation de l'alimentation similaires à celles des transistors bipolaires, ainsi que l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif caractéristiques des dispositifs MOS. Comme pour toutes les structures MOS, ce dispositif est exempt de fuite thermique et de défaillance secondaire induite thermiquement, garantissant des performances fiables même dans les environnements exigeants.
Impédance d'entrée élevée
Vitesses de commutation rapide
Faible résistance à état passant
Absence de claquage secondaire
Faibles fuites à l'entrée et à la sortie
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