MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 7.6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DMT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 146-4666
- Référence fabricant:
- DMTH6016LSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 125,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,45 € | 1 125,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 146-4666
- Référence fabricant:
- DMTH6016LSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | DMT | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 28mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.4W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 700mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 4.95mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Largeur | 3.95mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série DMT | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 28mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.4W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 700mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 4.95mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Largeur 3.95mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
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