MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 7.6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DMT AEC-Q101

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146-4775
Référence fabricant:
DMTH6016LSD-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

7.6A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOIC

Série

DMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

28mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.4W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.5mm

Longueur

4.95mm

Normes/homologations

No

Largeur

3.95mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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