MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 7.6 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

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823-3223
Référence fabricant:
DMN2041LSD-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

7.6A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.2nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.16W

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Hauteur

1.5mm

Longueur

4.95mm

Largeur

3.95mm

Normes/homologations

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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