MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 4.4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

5,72 €

HT

6,86 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 140 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,572 €5,72 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
823-4012
Référence fabricant:
DMN6066SSD-13
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

4.4A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

97mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.14W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.4nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

890mV

Température d'utilisation maximum

+150°C

Configuration du transistor

Isolé

Hauteur

1.5mm

Longueur

5mm

Normes/homologations

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

Largeur

4mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.