MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 6.6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 121-9628
- Référence fabricant:
- DMN6040SSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
445,00 €
HT
535,00 €
TTC
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- Plus 85 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 novembre 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,178 € | 445,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 121-9628
- Référence fabricant:
- DMN6040SSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 55mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.7W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 700mV | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Largeur | 3.95mm | |
| Longueur | 4.95mm | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Normes/homologations | MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 55mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.7W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 700mV | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Largeur 3.95mm | ||
Longueur 4.95mm | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Normes/homologations MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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