MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 6.6 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

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823-4018
Référence fabricant:
DMN6040SSD-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

6.6A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

55mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10.4nC

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.7W

Configuration du transistor

Isolé

Température d'utilisation maximum

+150°C

Hauteur

1.5mm

Normes/homologations

MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101

Largeur

3.95mm

Longueur

4.95mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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