MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 7 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- Code commande RS:
- 823-3236
- Référence fabricant:
- DMN4031SSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
14,18 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,709 € | 14,18 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 823-3236
- Référence fabricant:
- DMN4031SSD-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Tension directe Vf | 740mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.6W | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Largeur | 3.95mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Hauteur | 1.5mm | |
| Longueur | 4.95mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Tension directe Vf 740mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.6W | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Largeur 3.95mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Hauteur 1.5mm | ||
Longueur 4.95mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
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