Références fabricant

MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 4.4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

Code commande RS:: 169-7465
Référence fabricant:: DMN6066SSD-13
Marque:: DiodesZetex

MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 4.4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

917,50 €

1 100,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,367 €	917,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 169-7465
Référence fabricant:: DMN6066SSD-13
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id	4.4A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SOIC
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	97mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	890mV
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	5.4nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.14W
	Température d'utilisation maximum	+150°C
	Configuration du transistor	Isolé
	Largeur	4mm
	Longueur	5mm
	Normes/homologations	MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020
	Hauteur	1.5mm
	Nombre d'éléments par circuit	2
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET de puissance
	Courant continu de Drain maximum Id 4.4A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SOIC
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 97mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 890mV
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.4nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.14W
	Température d'utilisation maximum +150°C
	Configuration du transistor Isolé
	Largeur 4mm
	Longueur 5mm
	Normes/homologations MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020
	Hauteur 1.5mm
	Nombre d'éléments par circuit 2
	Standard automobile AEC-Q101

60v Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.

Transistors MOSFET, Diodes Inc.

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