MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 7.6 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC AEC-Q101

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Code commande RS:
169-7464
Référence fabricant:
DMN2041LSD-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

7.6A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

SOIC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.16W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.2nC

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-12V, +12V

Température d'utilisation maximum

+150°C

Configuration du transistor

Isolé

Longueur

4.95mm

Normes/homologations

MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Largeur

3.95mm

Hauteur

1.5mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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