MOSFETs simples canal N ROHM 3 A 30 V Enrichissement, 3 broches, MPT3 R4P AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
646-552
Référence fabricant:
R4P030N03HZGT100
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

R4P

Type de Boitier

MPT3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.5nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.6mm

Largeur

4.7mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

4.3mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à canal N de 4 V de ROHM se caractérise par une faible résistance à l'état passant et prend en charge le fonctionnement de l'entraînement de 4 V.

Certifié AEC-Q101

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