MOSFET canal N ROHM 650 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SST-3 BSS AEC-Q101

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1000 - 24500,128 €6,40 €
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Code commande RS:
264-577
Référence fabricant:
BSS670AHZGT116
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

650mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

BSS

Type de Boitier

SST-3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.68Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

350mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Le ROHM Small Signal MOSFET for Automotive N channel avec MOSFET 60V 650mA et diode de protection ESD sont inclus dans le boîtier SST3. Ce produit est idéal pour les circuits de commutation et les applications de commutation de charge à bas côté et de pilotage de relais. Il s'agit d'un produit haute fiabilité de qualité automobile certifié AEC-Q101.

Commutation très rapide

Entraînement à ultra basse tension Entraînement à 2,5V

Protection ESD jusqu'à 2kV HBM

Plombage sans plomb et conforme à la directive RoHS

Sans halogène

Certifié AEC-Q101

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