MOSFETs simples canal N ROHM 2 A 60 V Enrichissement, 3 broches, MPT3 R4P AEC-Q101

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Code commande RS:
646-554
Référence fabricant:
R4P020N06HZGT100
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFETs simples

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

R4P

Type de Boitier

MPT3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

200mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

0.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

4.7mm

Longueur

4.3mm

Hauteur

1.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor ROHM à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique et canal N de 4 volts se caractérise par une faible résistance à l'enclenchement et prend en charge un fonctionnement de 4 volts.

Certifié AEC-Q101

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