MOSFETs simples canal N ROHM 160 A 80 V Enrichissement, 8 broches, DFN5060-8S RS7N160
- Code commande RS:
- 646-624
- Référence fabricant:
- RS7N160BHTB1
- Marque:
- ROHM
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- Code commande RS:
- 646-624
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- Marque:
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Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFETs simples | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 160A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | DFN5060-8S | |
| Série | RS7N160 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 73nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | Halogen Free, RoHS, Pb Free | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFETs simples | ||
Courant continu de Drain maximum Id 160A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier DFN5060-8S | ||
Série RS7N160 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 73nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations Halogen Free, RoHS, Pb Free | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance ROHM avec faible résistance sous tension et boîtier haute puissance adapté pour la commutation, les entraînements de moteur et le convertisseur c.c./c.c.
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