MOSFETs simples P Vishay -2.8 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SQ2361CEES AEC-Q101

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MOSFETs simples P Vishay -2.8 A 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 SQ2361CEES AEC-Q101
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653-155

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Code commande RS:
653-154
Référence fabricant:
SQ2361CEES-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFETs simples

Courant continu de Drain maximum Id

-2.8A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Série

SQ2361CEES

Type de montage

Circuit imprimé

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.17Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

2.64mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Longueur

3.04mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET à canal P de qualité automobile de Vishay est conçu pour les applications de commutation compactes et basse tension. Il prend en charge une tension de source de drain jusqu'à 60 V et fonctionne de manière fiable à des températures de jonction allant jusqu'à 175 °C, ce qui le rend adapté aux environnements automobiles difficiles. Emballé dans un format SOT-23, il utilise la technologie TrenchFET de Vishay pour fournir un faible RDS(on) et des performances thermiques efficaces dans les conceptions à espace limité.

Homologué AEC Q101

Sans plomb

Sans halogène

Conformité RoHS

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