MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 10 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 STS
- Code commande RS:
- 719-622
- Référence fabricant:
- STS10N3LH5
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 0,35 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 719-622
- Référence fabricant:
- STS10N3LH5
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | STS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.021Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 4mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série STS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.021Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 4mm | ||
La technologie STripFETTMV Power MOSFET de STMicroelectronics fait partie des dernières améliorations, qui ont été spécialement conçues pour atteindre une très faible résistance à l'état sous tension, fournissant également l'un des meilleurs FOM de sa catégorie.
Résistance à la mise sous tension extrêmement faible RDS(on)
Charge de grille de commutation très faible
Haute résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance d'entraînement de grille
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