MOSFET de puissance canal N Infineon 207 A 1.4 kV Enrichissement, 4 broches, PG-TO247-4 CoolSiC

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Code commande RS:
762-946
Référence fabricant:
IMYR140R008M2HXLSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

207A

Tension Drain Source maximum Vds

1.4kV

Type de Boitier

PG-TO247-4

Série

CoolSiC

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

8.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Dissipation de puissance maximum Pd

710W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

203nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Largeur

16mm

Hauteur

4.9mm

Longueur

23.8mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le MOSFET SiC CoolSiC 1 400 V G2 d'Infineon est doté d'une tension nominale de 1 400 V et d'une capacité de courant de 147 A à 100 °C, avec une faible résistance à l'état passant de 8,5 mΩ. Il prend en charge des performances thermiques élevées et peut résister à des courts-circuits pendant 2 μs. L'appareil est conçu avec une protection robuste contre l'activation parasite et une distance de fuite élevée.

Très faibles pertes de commutation

Diode de corps robuste pour une commutation dure

Broches d'alimentation larges pour une capacité de courant élevée

Broches soudables résistives pour les connexions directes des barres omnibus

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