Modules MOSFET canal N Microchip 236 A 1.2 kV Mode d'amélioration, 33 broches, Module MSCSMC Non
- Code commande RS:
- 931-017
- Référence fabricant:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Marque:
- Microchip
Sous-total (1 unité)*
122,10 €
HT
146,52 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 5 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 122,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 931-017
- Référence fabricant:
- MSCSMC120AM04TBZ2EG
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | Modules MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 236A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | Module | |
| Série | MSCSMC | |
| Type de montage | Direct | |
| Nombre de broches | 33 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.5mΩ | |
| Mode de canal | Mode d'amélioration | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 21V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 604W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 726nC | |
| Tension directe Vf | 4.7V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Longueur | 56.7mm | |
| Largeur | 62.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit Modules MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 236A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier Module | ||
Série MSCSMC | ||
Type de montage Direct | ||
Nombre de broches 33 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.5mΩ | ||
Mode de canal Mode d'amélioration | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 21V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 604W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 726nC | ||
Tension directe Vf 4.7V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Longueur 56.7mm | ||
Largeur 62.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le module d'alimentation Advanced en carbure de silicium de Microchip offre des performances exceptionnelles dans les applications à haut rendement, en particulier dans les environnements exigeants nécessitant une gestion robuste de l'alimentation et des capacités thermiques.
La technologie SiC garantit de faibles pertes de commutation et de conduction
La thermistance intégrée facilite la surveillance efficace de la température
La faible résistance thermique permet une dissipation thermique efficace
Poids et profil ultra-légers contribuant à la flexibilité de la conception
Nos clients ont également consulté
- Module d'alimentation en carbure de silicium Demi-pont canal N Microchip 151 A 3.3 kV Mode d'amélioration mSiC Non
- Module d'alimentation en carbure de silicium Demi-pont canal N Microchip 295 A 3.3 kV Mode d'amélioration mSiC Non
- MOSFET Mosfet à mode d'amélioration du canal N canal N DiodesZetex 44.5 A 1.2 kV Enrichissement TO-247 DMW
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 6 A 1.2 kV Mode d'amélioration H2PAK-2 STH285N10F8-6AG
- MOSFET de puissance canal N STMicroelectronics 6 A 1.2 kV Mode d'amélioration H2PAK-2 MDmesh K5 AEC-Q101
- Modules MOSFET canal N STMicroelectronics 33 A 1.2 kV Épuisement H2PAK-7 SCT
- MOSFET canal N STMicroelectronics 220 A 80 V Mode d'amélioration PowerFLAT
- MOSFET canal N STMicroelectronics 302 A 100 V Mode d'amélioration PowerLeaded AEC-Q101