MOSFET canal N onsemi 3 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NTF3055L108 AEC-Q101

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Code commande RS:
100-8062
Référence fabricant:
NTF3055L108T1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-223

Série

NTF3055L108

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-15V, +15V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

7.6nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.1W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1.57mm

Largeur

3.5mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.5mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CZ

Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor


Transistors MOSFET, ON Semiconductor


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